企业视频展播，请点击播放视频作者：广东至敏电子有限公司浪涌吸收器的主要参数：额定电压、标称导通电压、冲击通流容量.浪涌吸收器（如压敏电阻、气体放电管等）是用于抑制瞬态过电压的关键保护器件，其参数包括额定电压、标称导通电压和冲击通流容量。这些参数直接影响设备的保护效果和可靠性，需根据实际应用场景合理选择。1.额定电压（RatedVoltage）额定电压是指浪涌吸收器在正常工作状态下能长期承受的持续电压（如交流有效值或直流电压）。该参数需略高于被保护系统的运行电压，以避免误触发。例如，在220V交流系统中，通常选择额定电压为275V~320V的压敏电阻。若额定电压过低，器件可能因长期过载而老化；过高则可能导致保护响应延迟，无法有效箝位过电压。2.标称导通电压（NominalClampingVoltage）标称导通电压（也称压敏电压或击穿电压）是器件开始导通并限制过电压的临界阈值。对于压敏电阻，该电压通常指在1mA直流电流下的箝位电压值；气体放电管则为直流击穿电压。此参数需高于系统峰值电压但低于被保护设备的耐受电压。例如，在直流48V系统中，压敏电阻的标称导通电压可选82V，既允许正常电压波动，又能在过压时快速动作。选择时需考虑温度、老化等因素，通常预留20%-30%裕量。3.冲击通流容量（SurgeCurrentCapacity）冲击通流容量表示器件单次可承受的浪涌电流峰值（如8/20μs波形），压敏电阻，反映其抗大电流冲击能力。该参数需根据应用场景的预期浪涌等级选择，如户外设备需满足10kA以上，而室内电子设备可能仅需3kA。需注意：多次冲击后器件的通流能力会下降，故在高频浪涌环境中应选择更高规格或冗余设计。此外，器件封装尺寸与通流容量正相关，需权衡空间与性能。参数间的协同关系-额定电压与标称导通电压需匹配：额定电压保障长期稳定性，标称电压决定保护阈值。-通流容量与系统风险等级相关：雷击多发区需高容量器件，配合快熔断器防止短路失效。-实际选型中还需考虑响应时间、箝位电压及漏电流等参数，并结合多级防护设计（如GDT+TVS组合）提升整体可靠性。总之，合理配置浪涌吸收器参数需综合系统电压、环境风险及成本，确保在过压事件中快速泄放能量，同时维持自身寿命与稳定性。浪涌吸收器与压敏电阻的区别：响应时间、通流能力对比.浪涌吸收器与压敏电阻均属于过电压保护器件，但两者在响应时间、通流能力及工作原理上存在显著差异，适用于不同场景的浪涌抑制需求。一、响应时间对比压敏电阻基于氧化锌（ZnO）半导体材料的非线性伏安特性，其响应时间极短，通常在25纳秒以内。当电压超过阈值时，内部晶界迅速导通，实现快速钳位，适合抑制高频、陡峭的瞬态脉冲（如EFT、ESD）。浪涌吸收器（如气体放电管GDT）通过气体电离放电实现保护，需经历气体击穿过程，响应时间较慢，通常在微秒级（0.1~1μs）。对快速上升的尖峰电压可能延迟动作，易出现漏保护现象。二、通流能力对比浪涌吸收器（以GDT为例）通流能力极强，单次耐受可达20~100kA（8/20μs波形），适合吸收大能量雷击浪涌。其通过气体放电分散能量，电极耐高温且无劣化，可重复使用。压敏电阻通流能力较低，单次耐受一般为1~40kA，多次冲击后易因晶界老化导致性能下降。大电流下可能发生烧毁或短路，需定期更换。三、综合应用差异-压敏电阻：适用于低能量、高频次、快速响应的场景（如电源初级保护），但需配合热熔断器防失效。-浪涌吸收器：用于高能量、低频次的高压保护（如通信线路防雷），常作为前级泄放装置。两者常组合使用：GDT作为前级泄放大电流，压敏电阻作为后级快速钳位，兼顾响应速度与通流容量。综上，响应时间与通流能力的差异源于材料与原理的不同，柱状测温型压敏电阻，实际选型需结合浪涌特性、系统耐受能力及成本综合考量。浪涌吸收器（SurgeAbsorber）是一种用于抑制瞬态过电压的电子保护器件，其功能是将电路中的异常高电压能量快速吸收或泄放，从而保护敏感电子设备免受浪涌冲击的损害。其工作原理主要基于非线性电阻特性、能量泄放和电压钳位机制。1.非线性电阻特性常见的浪涌吸收器件如压敏电阻（MOV，MetalOxideVaristor）和瞬态抑制二极管（TVSDiode）具有非线性伏安特性。在正常电压范围内，其电阻值极高，传感器电阻压敏电阻，仅允许微小漏电流通过；当电压超过阈值（如雷击、开关浪涌等瞬态过压），其电阻值急剧下降，形成低阻抗通路，将大部分浪涌电流旁路到地，从而限制电压升高。2.能量吸收与泄放浪涌吸收器通过将瞬态能量转化为热能或通过接地路径泄放。例如：-压敏电阻：利用氧化锌晶粒的半导体特性，在高电压下晶粒间形成导电通道，吸收能量并转化为热量。-气体放电管（GDT）：通过电离内部惰性气体产生电弧放电，将高能量浪涌直接泄放到地线。-TVS二极管：基于雪崩击穿效应，在纳秒级时间内将过电压钳位至安全范围，同时吸收瞬时大电流。3.电压钳位与响应时间浪涌吸收器的关键参数是钳位电压（ClampingVoltage）和响应速度。例如，TVS二极管响应时间可达1皮秒至1纳秒，抑制浪涌电流压敏电阻，远快于压敏电阻（约25纳秒），适合保护高频电路。当瞬态电压超过钳位值时，器件迅速导通，将电压限制在设备耐受范围内，避免绝缘击穿或元件烧毁。4.多级协同保护在实际应用中，常采用多级防护策略：-级（如GDT）：泄放大部分高能浪涌（如雷电）。-第二级（如MOV）：进一步吸收剩余能量。-第三级（如TVS）：精细钳位电压，保护芯片。5.应用注意事项-选型匹配：需根据电路工作电压、浪涌能量等级（如8/20μs波形测试）选择器件。-寿命与老化：压敏电阻多次吸收浪涌后性能可能退化，需定期检测。-接地与布局：低阻抗接地路径和短引线设计可提升保护效果。总结而言，浪涌吸收器通过快速响应、能量泄放和电压钳位三重机制，将瞬态过电压抑制在安全阈值内，是电子系统防雷击、抗电磁干扰（EMI）的关键组件。抑制浪涌电流压敏电阻-压敏电阻-至敏电子有限公司由广东至敏电子有限公司提供。广东至敏电子有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟客服图标，可以直接与我们客服人员对话，愿我们今后的合作愉快！)