企业视频展播，请点击播放视频作者：广东至敏电子有限公司半导体电阻器相关知识半导体电阻器，也称为敏感电阻器，主要由半导体材料制成，吸收突波压敏电阻，具有对外界物理量变化敏感的特性。当温度、湿度、机械力、电压磁场等物理量发生变化时，半导体电阻器的电阻值会随之改变。这种特性使得半导体电阻器在电子电路中发挥着重要的作用。半导体电阻器的工作原理主要基于PN结的特性。PN结由P型半导体和N型半导体组成，由于两种半导体之间的电场作用，使得内部材料中的空穴和自由电子发生迁移，从而形成电流的流动。当PN结上下两端加上电压时，电流的大小会受到电阻的影响，这也是半导体电阻器的重要特性之一。此外，半导体电阻器还具有广泛的应用领域。例如，在热释电探测器中，半导体电阻材料对辐射的响应特性可用于辐射测量和人体探测。当半导体电阻材料受到辐射时，其电阻值会发生变化，通过测量这种变化可以探测到辐射的强度和能量。同时，半导体电阻器还可用于电压参考源、温度传感器以及熔断电阻器等场合，为电路提供稳定的电压参考、测量环境温度以及为电路提供过载保护等功能。总之，半导体电阻器作为电子电路中的重要元件，具有特别的物理特性和广泛的应用价值。随着科技的不断发展，半导体电阻器将会在更多领域发挥重要作用，推动电子技术的不断进步。氧化锌压敏电阻的残压比（K=Ures/UN）及其在防雷设计中的意义.氧化锌压敏电阻的残压比（K=Ures/UN）是衡量其保护性能的参数，定义为器件在承受瞬态过电压时产生的残压（Ures）与其标称电压（UN）的比值。该参数直接反映了压敏电阻在限压过程中的效能：K值越低，表明其将过电压钳位至更低水平的能力越强，从而为被保护设备提供更优的防护。例如，当K=1.5时，压敏电阻可将超过标称电压50%的过电压限制在1.5倍UN以下，显著降低设备绝缘承受的电压应力。在防雷设计中，残压比的选择直接影响系统安全性与经济性。雷电或操作过电压的幅值可达数千伏，氧化锌压敏电阻通过其非线性伏安特性迅速导通，莆田压敏电阻，将过电压能量泄放并将残压控制在安全阈值内。较低的K值（如1.2-1.8）能更有效保护精密电子设备，但需权衡其耐受冲击次数和使用寿命。对于电力系统等大通流场景，通常选择略高K值（如2.0-2.5）以提升能量吸收能力，同时通过多级防护弥补残压限制的不足。实际应用中需结合系统特性优化设计：1）前级采用气体放电管泄放大部分雷电流，后级压敏电阻进一步降低残压；2）依据被保护设备的绝缘耐受电压（如IEC标准中1.2/50μs波形下的耐压值）选择适配的K值，确保Ures低于设备耐压等级；3）考虑长期老化特性，预留20%-30%电压裕度。研究表明，残压比降低10%可使设备寿命延长约15%，玻封测温型压敏电阻，但需增加压敏电阻体积或并联数量。因此，防雷设计需在残压比、通流容量、成本及可靠性间取得平衡，通过测试验证多级配合的协同效应。浪涌吸收器在通信防雷系统中的应用案例某山区通信因地处雷电高发区域，频繁遭受雷击导致设备损坏，年均故障率高达15%。经现场勘查，雷电流主要通过交流供电线路、天馈线及信号线侵入，造成电源模块、射频单元等关键设备损毁。为提升防雷能力，技术人员在防雷系统中集成多级浪涌吸收器，构建了立体防护体系。应用方案1.电源线路防护：在交流配电箱入口处安装通流容量为40kA的压敏电阻型浪涌吸收器，泄放直击雷能量；直流配电单元端口加装TVS二极管，抑制残留浪涌电压。2.天馈线防护：在馈线入口部署气体放电管型浪涌吸收器（响应时间≤25ns），并联于馈线屏蔽层与接地端，实现雷电流快速分流。3.信号线防护：针对传输光端机的RJ45接口，抑制浪涌电流压敏电阻，采用箝位电压5V的半导体放电管，确保信号传输稳定性。实施效果改造后防雷能力显著提升：-故障率下降：雷击导致的设备损坏率降低至3%以下，年均维护成本减少60%。-系统稳定性增强：浪涌吸收器在雷雨季节累计动作120余次，有效阻断90%以上过电压冲击。-经济效益显著：设备寿命延长30%，单站年运维成本节约超8万元。总结该案例通过浪涌吸收器的多级部署，结合接地网优化（接地电阻≤2Ω）及屏蔽措施，形成了“疏堵结合”的防护体系。未来可进一步引入智能监测模块，实时采集浪涌动作次数及残压数据，为防雷系统动态优化提供依据。此类方案已推广至区域50余座，成为高雷暴地区通信基础设施的标准配置。抑制浪涌电流压敏电阻-莆田压敏电阻-至敏电子有限公司由广东至敏电子有限公司提供。广东至敏电子有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟客服图标，可以直接与我们客服人员对话，愿我们今后的合作愉快！)