企业视频展播，请点击播放视频作者：广东至敏电子有限公司电冲击抑制器的通流容量（8/20μs波形）测试方法.电冲击抑制器的通流容量（8/20μs波形）测试方法如下：一、测试目的验证抑制器在规定波形（8/20μs）下承受多次冲击电流的能力，抑制浪涌电流压敏电阻，确保其在过电压条件下的可靠性和耐久性。---二、测试设备与要求1.冲击电流发生器：能输出标准8/20μs波形（波头时间8μs±20%，波尾时间20μs±20%），电流峰值范围覆盖抑制器标称值（如20kA、40kA等）。2.测量系统：-电流探头/分流器：带宽≥10MHz，精度±5%以内。-示波器：采样率≥100MS/s，记录电流波形和峰值。3.环境条件：温度25±5℃，压敏电阻，湿度≤75%，无强电磁干扰。---三、测试步骤1.样品准备将抑制器按实际安装方式固定，连接低阻抗引线（≤0.1Ω/m），避免附加电感影响波形。2.波形校准空载测试冲击电流发生器输出波形，确保满足8/20μs参数要求（波头/波尾时间误差≤±20%）。3.测试流程-单次冲击测试：施加额定通流容量（如20kA）1次，记录电流波形及抑制器残压。-多次冲击测试：间隔1分钟，重复施加相同峰值电流10~20次（依据IEC61643-11标准），监测抑制器温升及性能变化。4.关键参数记录-每次冲击的峰值电流（Ip）、波形参数。-抑制器残压（Vres）、漏电流（≤1mA）、外观是否破损。---四、结果判定1.性能合格标准：-残压波动范围≤±10%；-漏电流测试前后变化≤20%；-无物理损伤（开裂、烧蚀等）。2.失效判定：若残压显著上升、漏电流超标或绝缘失效，则判定通流容量不达标。---五、注意事项1.安全防护：测试区域需设置屏蔽和接地装置，防止电弧危害。2.波形验证：每批次测试前需校准设备，避免波形畸变导致数据偏差。3.散热控制：多次冲击时需监测抑制器温度，避免过热导致性能劣化。通过上述方法可系统评估电冲击抑制器的通流能力，确保其在实际应用中有效保护设备免受浪涌损害。氧化锌压敏电阻在电力系统防雷保护中的应用案例.氧化锌压敏电阻（MOV）凭借其优异的非线性伏安特性、快速响应能力及高能量吸收容量，已成为电力系统防雷保护的元件。以下通过某沿海地区110kV变电站的改造案例，具体分析其应用价值。该变电站地处多雷区，原采用传统碳化硅避雷器，年均雷击跳闸达3.2次，变压器套管多次受损。改造中，在进线侧、主变高低压侧及母线间隔均加装氧化锌避雷器（MOA），利用其微秒级响应速度（改造后三年运行数据显示，PTC压敏电阻，雷击跳闸率降至0.5次/年，设备绝缘故障减少80%。特别在2022年夏季遭受12次直击雷事件中，MOA动作后系统残压稳定在190kV以下（低于设备BIL450kV），有效保护了GIS开关设备和干式变压器。经济性分析表明，虽然初期投资增加15%，但年均维护成本降低60%，设备寿命延长8-10年。此案例印证了氧化锌压敏电阻在分级保护、绝缘配合方面的优势。其无续流特性避免了传统避雷器的工频续流遮断问题，紧凑结构便于与智能监测系统集成，吸收突波压敏电阻，实现状态预警。未来随着配方优化（掺铋元素提升老化特性）及多柱并联技术的应用，其在特高压及新能源场站的防雷保护中将发挥更大作用。半导体电阻器的工作原理主要基于半导体材料的特性。半导体材料内部的自由电子和空穴浓度的变化会导致电阻率的变化。在半导体中，电流的流动是由自由电子和空穴所携带的电荷共同驱动的。当半导体材料与其他导体或半导体连接时，由于材料间电阻率的不同，形成了电子流的相互作用，从而改变了半导体材料的电学特性，使其成为能够控制电流的器件。具体来说，半导体电阻器如PN结电阻，由P型半导体和N型半导体组成。在PN结中，由于N型半导体和P型半导体之间存在电场，使得内部材料出现空穴和自由电子的迁移，从而形成了电流的流动。当在PN结上下两端加上电压时，这种电流的流动成为PN结电阻的重要特性之一。此外，半导体电阻器还包括热敏电阻，其电阻值随温度变化而变化。这是基于半导体的导电方式是载流子导电，当温度升高时，半导体中参与导电的载流子数目增多，导电率增加，电阻率下降。因此，通过测量热敏电阻值的变化，可以得知被测介质的温度变化。总的来说，半导体电阻器的工作原理涉及半导体材料的电学特性和温度变化对电阻率的影响，这使得半导体电阻器在电子电路中能够发挥分压分流、控制电流等重要作用。吸收突波压敏电阻-压敏电阻-广东至敏电子公司(查看)由广东至敏电子有限公司提供。吸收突波压敏电阻-压敏电阻-广东至敏电子公司(查看)是广东至敏电子有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：张先生。)